Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching The 2SJ529 is a P-channel MOSFET manufactured by Renesas Electronics. Below are the key specifications:

- **Type:** P-channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (Vds):** -30V
- **Gate-Source Voltage (Vgs):** ±20V
- **Drain Current (Id):** -12A
- **Power Dissipation (Pd):** 2.5W
- **On-Resistance (Rds(on)):** 0.045Ω (max) at Vgs = -10V, Id = -6A
- **Gate Threshold Voltage (Vth):** -1V to -3V
- **Input Capacitance (Ciss):** 600pF (typ)
- **Output Capacitance (Coss):** 200pF (typ)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 50pF (typ)
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C
- **Package:** TO-220AB

These specifications are based on typical operating conditions and may vary slightly depending on the specific application and environment.

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching The 2SJ529 is a P-channel MOSFET manufactured by Hitachi. Here are the key specifications:

- **Drain-Source Voltage (Vds):** -60V
- **Gate-Source Voltage (Vgs):** ±20V
- **Drain Current (Id):** -30A
- **Power Dissipation (Pd):** 100W
- **On-Resistance (Rds(on)):** 0.055Ω (typical)
- **Gate Threshold Voltage (Vgs(th)):** -2V to -4V
- **Input Capacitance (Ciss):** 1800pF (typical)
- **Output Capacitance (Coss):** 600pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 150pF (typical)
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C

These specifications are based on typical values and may vary depending on operating conditions.

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching The 2SJ529 is a P-channel MOSFET manufactured by SHINDENG. Below are the key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: -30V
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V
- **Drain Current (I_D)**: -30A
- **Power Dissipation (P_D)**: 2.5W
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 12mΩ (typical) at V_GS = -10V
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -1.0V to -2.5V
- **Package**: TO-220F

These specifications are based on the manufacturer's datasheet and are subject to standard operating conditions.