Silicon P Channel MOS FET The **2SJ130STL-E** is a P-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. Known for its low on-resistance and high-speed performance, this component is widely used in power management circuits, DC-DC converters, and motor control systems.  

With a drain-source voltage (V_DS) rating of -30V and a continuous drain current (I_D) of -6.5A, the 2SJ130STL-E offers reliable operation in various electronic designs. Its low threshold voltage ensures compatibility with logic-level drive circuits, making it suitable for battery-powered and portable devices.  

The MOSFET features a compact **TO-252 (DPAK)** package, providing efficient thermal dissipation while maintaining a small footprint on PCBs. Additionally, its fast switching characteristics minimize power losses, enhancing overall system efficiency.  

Engineers often select the 2SJ130STL-E for its robustness in demanding environments, including automotive and industrial applications. Its performance parameters, such as low gate charge and high avalanche energy capability, contribute to improved reliability in high-frequency switching scenarios.  

For designers seeking a cost-effective yet high-performance P-channel MOSFET, the 2SJ130STL-E presents a balanced solution, combining power efficiency with durability for modern electronic systems.