SILICON PLASTIC POWER TRANSISTOR The part 2SD880-Y is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by TOS (Toshiba). Below are the key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial Planar
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 60V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 80V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 3A
- **Collector Dissipation (PC)**: 30W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at IC = 1A, VCE = 5V)
- **Transition Frequency (fT)**: 3MHz (min)
- **Package**: TO-220

These specifications are based on the manufacturer's datasheet for the 2SD880-Y transistor.

SILICON PLASTIC POWER TRANSISTOR The part 2SD880-Y is a transistor manufactured by FSC (Fairchild Semiconductor Corporation). It is an NPN silicon epitaxial planar transistor designed for use in general-purpose amplifier and switching applications. Key specifications include:

- Collector-Emitter Voltage (VCEO): 120V
- Collector-Base Voltage (VCBO): 120V
- Emitter-Base Voltage (VEBO): 5V
- Collector Current (IC): 3A
- Total Power Dissipation (PT): 30W
- Transition Frequency (fT): 60MHz
- Operating Junction Temperature (TJ): 150°C
- Package: TO-220

These specifications are typical for the 2SD880-Y transistor, and it is commonly used in electronic circuits requiring medium power amplification or switching.