High-current Gain MediumPower Transistor (20V, 0.5A) The part 2SD2114KW is a PNP silicon epitaxial planar transistor manufactured by ROHM. Its key specifications include:

- **Type**: PNP
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -2A
- **Collector Dissipation (PC)**: 1W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to 150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 120 to 400
- **Transition Frequency (fT)**: 150MHz
- **Package**: TO-252 (DPAK)

This transistor is commonly used in general-purpose amplification and switching applications.