Silicon Diffused Power Transistor(GENERAL DESCRIPTION) The 2SD1911 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. It is designed for use in high-speed switching and amplification applications. The key specifications include:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 150V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 150V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 1.5A
- **Collector Dissipation (PC):** 20W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to 150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320
- **Transition Frequency (fT):** 50MHz
- **Package:** TO-220

These specifications are typical for the 2SD1911 transistor and are subject to standard manufacturing tolerances.