Epitaxial planar type NPN silicon transistor The part 2SD1760TL-Q is manufactured by ROHM. It is a PNP silicon epitaxial planar transistor designed for general-purpose amplification and switching applications. Key specifications include:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V
- **Collector Current (IC):** -2A
- **Total Power Dissipation (PT):** 1W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to 150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 120 to 400
- **Transition Frequency (fT):** 150MHz

The transistor is available in a small surface-mount package (SOT-89).