TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) The 2SC6026MFV is a high-frequency transistor manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Usage**: Designed for high-frequency amplification in VHF/UHF bands
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 20V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 15V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 3V
- **Collector Current (IC)**: 50mA
- **Total Power Dissipation (PT)**: 150mW
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Transition Frequency (fT)**: 7GHz (typical)
- **Noise Figure (NF)**: 1.2dB (typical at 1GHz)
- **Package**: SOT-323 (SC-70)

These specifications are based on Toshiba's datasheet for the 2SC6026MFV transistor.