Silicon NPN Epitaxial VHF / UHF Wide band amplifier The 2SC5758 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by HITACHI. Its specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 150 V
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 150 V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5 V
- **Collector Current (IC):** 1.5 A
- **Total Power Dissipation (PT):** 20 W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 40 to 320
- **Transition Frequency (fT):** 50 MHz

These specifications are typical for the 2SC5758 transistor as provided by HITACHI.