Silicon NPN Epitaxial High Frequency Low Noise Amplifier The 2SC5594 is a high-frequency, high-speed switching transistor manufactured by Renesas Electronics. Below are the key specifications:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 30V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 40V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 150mA
- **Total Power Dissipation (PT)**: 200mW
- **Transition Frequency (fT)**: 7GHz
- **Noise Figure (NF)**: 1.5dB (typical at 1GHz)
- **Gain Bandwidth Product (GBW)**: 7GHz
- **Package**: SOT-343 (SC-70)

These specifications are typical for the 2SC5594 transistor, which is commonly used in RF and microwave applications due to its high-speed switching capabilities and low noise characteristics.

Silicon NPN Epitaxial High Frequency Low Noise Amplifier The 2SC5594 is a high-frequency, high-speed switching transistor manufactured by HITACHI. Key specifications include:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 120V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 120V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 1.5A
- **Total Power Dissipation (PT)**: 1W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Transition Frequency (fT)**: 200MHz
- **Collector Capacitance (Cob)**: 10pF
- **Package**: TO-92MOD

These specifications are typical for the 2SC5594 transistor, designed for applications requiring high-speed switching and amplification.