Silicon NPN Epitaxial Planar The 2SC461 is a high-frequency transistor manufactured by Toshiba. It is an NPN silicon transistor designed for use in RF amplification and oscillation applications. Key specifications include:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 30V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 20V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 3V
- **Collector Current (IC):** 50mA
- **Total Power Dissipation (PT):** 150mW
- **Transition Frequency (fT):** 600MHz
- **Noise Figure (NF):** 3dB (typical at 100MHz)
- **Gain-Bandwidth Product:** High
- **Package:** TO-92

These specifications make it suitable for low-power RF applications.

Silicon NPN Epitaxial Planar The 2SC461 is a high-frequency transistor manufactured by HITACHI. Below are the key specifications:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Application**: High-frequency amplification
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 40V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 30V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 50mA
- **Total Power Dissipation (PT)**: 300mW
- **Junction Temperature (Tj)**: 125°C
- **Transition Frequency (fT)**: 600MHz
- **Noise Figure (NF)**: 3dB (typical at 100MHz)
- **Package**: TO-92

These specifications are based on the datasheet provided by HITACHI for the 2SC461 transistor.