FOR HIGH CURRENT DRIVE AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE The 2SC4357 is a high-frequency transistor manufactured by Mitsubishi. Below are the key specifications:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Usage**: High-frequency amplification
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 30V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 15V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 3V
- **Collector Current (IC)**: 50mA
- **Total Power Dissipation (PT)**: 150mW
- **Junction Temperature (Tj)**: 125°C
- **Transition Frequency (fT)**: 7GHz
- **Noise Figure (NF)**: 1.5dB (typical at 1GHz)
- **Gain (hFE)**: 20-200 (typical)
- **Package**: SOT-323 (SC-70)

These specifications are based on the datasheet provided by Mitsubishi for the 2SC4357 transistor.