Silicon NPN Epitaxial Planar The 2SC3391 is a high-frequency, high-speed switching transistor manufactured by Hitachi. Below are the key specifications:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Usage**: High-frequency amplification, high-speed switching
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 120V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 120V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 50mA
- **Total Power Dissipation (PT)**: 200mW
- **Transition Frequency (fT)**: 5GHz
- **Noise Figure (NF)**: 1.5dB (typical at 1GHz)
- **Package**: TO-92

These specifications are based on typical operating conditions and are subject to variation depending on the specific application and environment.

Silicon NPN Epitaxial Planar The 2SC3391 is a high-frequency transistor manufactured by HITACHI. Key specifications include:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Usage**: Designed for VHF/UHF band amplifier applications
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 30V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 15V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 3V
- **Collector Current (IC)**: 50mA
- **Total Power Dissipation (PT)**: 200mW
- **Transition Frequency (fT)**: 5.5GHz
- **Noise Figure (NF)**: 1.5dB (typical at 1GHz)
- **Gain (hFE)**: 20 to 200
- **Package**: TO-92

These specifications are typical for the 2SC3391 transistor as provided by HITACHI.