NPN SILICON POWER TRANSISTOR The 2SC3209 is a high-frequency, high-speed switching transistor manufactured by NEC. It is designed for use in RF amplifiers and oscillators, particularly in VHF and UHF bands. Key specifications include:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 20V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 30V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 3V
- **Collector Current (IC)**: 50mA
- **Total Power Dissipation (PT)**: 300mW
- **Transition Frequency (fT)**: 7GHz
- **Noise Figure (NF)**: 1.5dB (typical at 1GHz)
- **Gain (hFE)**: 20 to 200
- **Package**: TO-92

These specifications make the 2SC3209 suitable for applications requiring high-speed switching and amplification in the VHF and UHF frequency ranges.

NPN SILICON POWER TRANSISTOR The 2SC3209 is a high-frequency, high-speed switching transistor manufactured by KEC (Korea Electronics Company). Below are the key specifications:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 30V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 20V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 1.5A
- **Total Power Dissipation (PT)**: 1W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **Transition Frequency (fT)**: 200MHz (min)
- **Collector Capacitance (CC)**: 15pF (max)
- **DC Current Gain (hFE)**: 120 to 400 (at IC = 0.1A, VCE = 5V)
- **Package**: TO-92

These specifications are based on the manufacturer's datasheet and are subject to standard operating conditions.