NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR) The 2SC3133 is a high-frequency, high-speed switching transistor manufactured by Mitsubishi Electric Corporation (MITS). Key specifications include:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 900V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 1200V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 7V
- **Collector Current (IC)**: 10A
- **Collector Dissipation (PC)**: 100W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **Transition Frequency (fT)**: 10MHz
- **DC Current Gain (hFE)**: 15 to 60 (at IC = 5A, VCE = 5V)
- **Package**: TO-3P

This transistor is designed for use in high-voltage, high-speed switching applications such as power supplies and inverters.

NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR) The 2SC3133 is a high-frequency, high-speed switching transistor manufactured by Mitsubishi. Key specifications include:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 900V
- **Collector Current (Ic)**: 10A
- **Power Dissipation (Pc)**: 100W
- **Transition Frequency (ft)**: 10MHz
- **Collector-Base Voltage (Vcbo)**: 1200V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo)**: 7V
- **DC Current Gain (hFE)**: 15 to 60
- **Package**: TO-3P

This transistor is designed for use in high-voltage, high-speed switching applications such as power supplies and inverters.

NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR) The 2SC3133 is a high-frequency, high-speed switching transistor manufactured by Mitsubishi Electric (MIT). It is designed for use in RF amplifiers and oscillators, particularly in VHF and UHF bands. Key specifications include:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 30V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 15V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 3V
- **Collector Current (IC)**: 100mA
- **Total Power Dissipation (PT)**: 300mW
- **Transition Frequency (fT)**: 7GHz
- **Noise Figure (NF)**: 1.5dB (typical at 1GHz)
- **Gain (hFE)**: 20 to 200

These specifications are typical for the 2SC3133 transistor as per Mitsubishi Electric's datasheet.

NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR) The 2SC3133 is a high-power NPN transistor manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Collector-Emitter Voltage (Vceo):** 900V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo):** 1200V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo):** 7V
- **Collector Current (Ic):** 10A
- **Collector Dissipation (Pc):** 120W
- **DC Current Gain (hFE):** 15 to 60
- **Transition Frequency (ft):** 10MHz
- **Operating Junction Temperature (Tj):** -55°C to +150°C
- **Package:** TO-3P

These specifications are typical for the 2SC3133 transistor, which is commonly used in high-voltage and high-power applications such as power supplies and inverters.