HIGH VOLTAGE, HIGH SPEED AND HIGH POWER SWITCHING The 2SC2614 is a high-frequency transistor manufactured by Hitachi (HIT). It is designed for use in RF amplification and oscillation applications. Key specifications include:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 30V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 15V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 3V
- **Collector Current (IC)**: 50mA
- **Total Power Dissipation (PT)**: 200mW
- **Transition Frequency (fT)**: 1.5GHz
- **Noise Figure (NF)**: 1.5dB (typical at 1GHz)
- **Gain (hFE)**: 20 to 200

These specifications make the 2SC2614 suitable for use in VHF and UHF bands, particularly in communication equipment and RF circuits.