Silicon NPN Epitaxial The 2SC1214CTZ-E is a transistor manufactured by Renesas Electronics. Below are the factual specifications based on Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
- **Package**: SOT-89
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 1A
- **Power Dissipation (PD)**: 1W
- **DC Current Gain (hFE)**: 120 to 400 (at IC = 0.1A, VCE = 5V)
- **Transition Frequency (fT)**: 150MHz
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C

These specifications are typical for the 2SC1214CTZ-E transistor and are subject to the datasheet provided by Renesas Electronics.