TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR The 2SC1213 is a high-frequency transistor manufactured by Hitachi (HIT). It is designed for use in RF amplification and oscillation applications. Key specifications include:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 30V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 20V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 3V
- **Collector Current (IC)**: 50mA
- **Total Power Dissipation (PT)**: 300mW
- **Transition Frequency (fT)**: 600MHz
- **Noise Figure (NF)**: 2.5dB (typical at 100MHz)
- **Gain Bandwidth Product (GBP)**: Not explicitly stated in the datasheet
- **Package**: TO-92

These specifications are typical for the 2SC1213 transistor as provided by Hitachi.

TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR The 2SC1213 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by HITACHI. Its key specifications include:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 150mA
- **Total Power Dissipation (PT):** 250mW
- **Junction Temperature (Tj):** 125°C
- **Transition Frequency (fT):** 200MHz
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (depending on operating conditions)

It is commonly used in general-purpose amplification and switching applications.