Epitaxial Planar PNP Silicon Translstors The 2SB910M is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by ROHM. Below are the key specifications based on Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: PNP BJT
- **Package**: TO-220F
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -3A
- **Collector Dissipation (PC)**: 25W
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at VCE = -5V, IC = -1A)
- **Operating Junction Temperature (Tj)**: -55°C to 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to 150°C

These specifications are typical for the 2SB910M transistor and are subject to standard manufacturing tolerances.