LOW FREQ. POWER AMP. EPITAXIAL PLANAR PNP SILICON TRANSISTOR The 2SB891 is a PNP silicon epitaxial planar transistor manufactured by ROHM. Its key specifications include:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -120V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -120V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V
- **Collector Current (IC):** -3A
- **Collector Dissipation (PC):** 25W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to 150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at VCE = -5V, IC = -1A)
- **Transition Frequency (fT):** 20MHz (min)
- **Package:** TO-126

These specifications are typical for the 2SB891 transistor and are subject to standard operating conditions.