Power Transistor (?80V, ?1A) The part 2SB1260T100Q is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by ROHM. Below are the key specifications:

- **Type**: PNP BJT
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -3A
- **Collector Dissipation (PC)**: 1W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to 150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 120 to 400
- **Package**: TO-220F
- **Mounting Type**: Through Hole
- **Operating Temperature**: -55°C to 150°C

These specifications are based on the datasheet provided by ROHM for the 2SB1260T100Q transistor.

Power Transistor (?80V, ?1A) The 2SB1260T100Q is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Type**: PNP BJT
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -100V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -100V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -3A
- **Power Dissipation (Pc)**: 1W
- **DC Current Gain (hFE)**: 120 to 400
- **Operating Junction Temperature (Tj)**: -55°C to +150°C
- **Package**: TO-220F

These specifications are based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance characteristics and application notes, refer to the official Toshiba documentation.