Bipolar Transistor The part 2SB1204S-TL-E is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by ROHM Semiconductor. Below are the key specifications:

- **Type**: PNP BJT
- **Package**: SOT-89
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -3A
- **Power Dissipation (PD)**: 1.5W
- **DC Current Gain (hFE)**: 120 to 400
- **Transition Frequency (fT)**: 150MHz
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C

This transistor is commonly used in amplification and switching applications.

Bipolar Transistor The part 2SB1204S-TL-E is a PNP transistor manufactured by SANYO. Here are its key specifications:

- **Type:** PNP
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V
- **Collector Current (IC):** -2A
- **Collector Dissipation (PC):** 1W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to 150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 120 to 400
- **Package:** SOT-89

These specifications are based on the information available in Ic-phoenix technical data files.