Medium power transistor (?32V, ?2A) The 2SB1188-T100Q is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by ROHM Semiconductor. Below are the key specifications:

- **Type**: PNP BJT
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -3A
- **Collector Dissipation (PC)**: 1W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to 150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 120 to 400 (at VCE = -5V, IC = -1A)
- **Transition Frequency (fT)**: 100MHz (typical)
- **Package**: TO-220F (isolated type)

This transistor is commonly used in power amplification and switching applications.