Power Transistor (?80V, ?1A) The 2SB1182TLQ is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by ROHM Semiconductor. Below are the key specifications:

- **Type**: PNP
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -3A
- **Collector Dissipation (PC)**: 1W
- **DC Current Gain (hFE)**: 120 to 400
- **Transition Frequency (fT)**: 80MHz
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Package**: TO-252 (DPAK)

This transistor is commonly used in power amplification and switching applications.

Power Transistor (?80V, ?1A) The part 2SB1182TLQ is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by ROHM. Below are the key specifications:

- **Type**: PNP BJT
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -3A
- **Collector Dissipation (PC)**: 1W
- **DC Current Gain (hFE)**: 120 to 400
- **Operating Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Package**: TO-252 (DPAK)

These specifications are based on the manufacturer's datasheet for the 2SB1182TLQ transistor.