SI NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR HIGH POWER AMPLIFIER The part number 2SB1163 is a PNP transistor manufactured by Panasonic (松下). The key specifications for the 2SB1163 transistor are as follows:

- **Type**: PNP
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -3A
- **Power Dissipation (PC)**: 25W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **Package**: TO-220

These specifications are based on the standard datasheet for the 2SB1163 transistor.