Low frequency power amplifier Collector to base voltage VCBO -70 V The 2SB1002 is a PNP silicon epitaxial planar transistor manufactured by ROHM. Here are the key specifications:

- **Type**: PNP transistor
- **Material**: Silicon epitaxial planar
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -3A
- **Collector Dissipation (PC)**: 25W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at VCE = -5V, IC = -1A)
- **Transition Frequency (fT)**: 20MHz (at VCE = -5V, IC = -1A, f = 1MHz)
- **Package**: TO-220F

These specifications are based on ROHM's datasheet for the 2SB1002 transistor.

Low frequency power amplifier Collector to base voltage VCBO -70 V The part number 2SB1002 is a PNP silicon epitaxial planar transistor manufactured by Hitachi. The key specifications for the 2SB1002 transistor are as follows:

- **Type**: PNP
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial planar
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -3A
- **Collector Dissipation (PC)**: 25W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at IC = 1A, VCE = -5V)
- **Transition Frequency (fT)**: 20MHz (at IC = 1A, VCE = -5V, f = 100MHz)
- **Package**: TO-220

These specifications are based on the standard operating conditions provided by Hitachi for the 2SB1002 transistor.

Low frequency power amplifier Collector to base voltage VCBO -70 V The part 2SB1002 is a PNP silicon epitaxial planar transistor manufactured by HITACHI. Its specifications include:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V
- **Collector Current (IC):** -3A
- **Collector Dissipation (PC):** 25W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at VCE = -5V, IC = -0.5A)
- **Transition Frequency (fT):** 50MHz (at VCE = -5V, IC = -0.5A, f = 1MHz)
- **Package:** TO-220

These specifications are based on the standard operating conditions provided by HITACHI.