1.2W PACKAGE POWER TAPED TRANSISTOR DESIGNED FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MECHINE The 2SA934 is a PNP silicon epitaxial planar transistor manufactured by ROHM. Here are the key specifications:

- **Type**: PNP transistor
- **Material**: Silicon epitaxial planar
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -0.7A
- **Collector Dissipation (PC)**: 0.5W
- **Junction Temperature (Tj)**: 125°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (depending on the operating conditions)
- **Transition Frequency (fT)**: 80MHz (typical)
- **Package**: TO-92

These specifications are typical for the 2SA934 transistor and are subject to standard manufacturing tolerances.

1.2W PACKAGE POWER TAPED TRANSISTOR DESIGNED FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MECHINE The 2SA934 is a PNP silicon transistor manufactured by Toshiba. It is designed for general-purpose amplification and switching applications. Key specifications include:

- **Type:** PNP
- **Material:** Silicon
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V
- **Collector Current (IC):** -0.7A
- **Collector Dissipation (PC):** 0.8W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Transition Frequency (fT):** 80MHz
- **DC Current Gain (hFE):** 60-320 (depending on the operating conditions)

These specifications are typical for the 2SA934 transistor and are subject to variation based on operating conditions and manufacturer tolerances.