EPITAXIAL PLANAR PNP SILICON TRANSISTORS The 2SA933-S is a PNP silicon transistor manufactured by ROHM. Below are the key specifications:

- **Type**: PNP Silicon Transistor
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -0.7A
- **Collector Dissipation (PC)**: 0.5W
- **Junction Temperature (Tj)**: 125°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320
- **Transition Frequency (fT)**: 80MHz
- **Package**: TO-92

These specifications are based on the datasheet provided by ROHM for the 2SA933-S transistor.

EPITAXIAL PLANAR PNP SILICON TRANSISTORS The 2SA933-S is a PNP silicon transistor manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Type**: PNP
- **Material**: Silicon
- **Maximum Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Maximum Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -0.7A
- **Collector Dissipation (PC)**: 0.8W
- **Junction Temperature (Tj)**: 125°C
- **Transition Frequency (fT)**: 100MHz
- **DC Current Gain (hFE)**: 60-320
- **Package**: TO-92

These specifications are based on the manufacturer's datasheet.