PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER) The 2SA769 is a PNP silicon transistor manufactured by SANKEN. Here are the key specifications:

- **Type**: PNP
- **Material**: Silicon
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -1.5A
- **Collector Dissipation (PC)**: 1W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320
- **Transition Frequency (fT)**: 80MHz
- **Package**: TO-92

These specifications are typical for the 2SA769 transistor and are subject to variation based on operating conditions and manufacturing tolerances.

PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER) The 2SA769 is a PNP silicon transistor manufactured by various companies, including Toshiba. Key specifications include:

- **Transistor Type:** PNP
- **Material:** Silicon
- **Maximum Collector-Base Voltage (VCBO):** -50V
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V
- **Maximum Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V
- **Collector Current (IC):** -0.1A
- **Total Power Dissipation (PT):** 0.3W
- **Junction Temperature (Tj):** 125°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 120 to 560 (at VCE = -5V, IC = -1mA)
- **Transition Frequency (fT):** 80MHz (typical)
- **Package:** TO-92

These specifications are typical and may vary slightly depending on the manufacturer. Always refer to the specific datasheet for precise details.