FOR HIGH CURRENT APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE MICRO(FRAME TYPE) The 2SA2002 is a PNP silicon transistor manufactured by Toshiba. Here are the key IDC (Inter-Data Corporation) specifications for the 2SA2002:

- **Type**: PNP silicon transistor
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -200V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -200V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -1.5A
- **Collector Dissipation (PC)**: 25W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at VCE = -5V, IC = -0.5A)
- **Transition Frequency (fT)**: 30MHz (at VCE = -10V, IC = -0.5A, f = 1MHz)
- **Package**: TO-220

These specifications are based on the manufacturer's datasheet and are subject to the operating conditions specified therein.