High-Voltage Switching Transistor (Telephone, Power Supply) (-600V, -1A) The 2SA1862 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by ROHM Semiconductor. Below are the key specifications for the 2SA1862 transistor:

- **Type**: PNP
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -200V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -200V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -1.5A
- **Collector Dissipation (PC)**: 25W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to 150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (depending on operating conditions)
- **Transition Frequency (fT)**: 20MHz
- **Package**: TO-220F (isolated type)

These specifications are based on ROHM's datasheet for the 2SA1862 transistor. Always refer to the official datasheet for detailed and precise information.