High-voltage Switching Transistor (Telephone power supply) The 2SA1727TLQ is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by ROHM. Below are the key specifications:

- **Type**: PNP
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -1A
- **Collector Dissipation (PC)**: 1W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 120 to 400
- **Transition Frequency (fT)**: 150MHz
- **Package**: TO-252 (DPAK)

These specifications are based on standard operating conditions. For detailed performance characteristics and application notes, refer to the official datasheet provided by ROHM.

High-voltage Switching Transistor (Telephone power supply) The 2SA1727TLQ is a PNP transistor manufactured by ROHM (罗姆原厂). Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)
- **Package**: TUMT6 (Ultra-small, surface-mount package)
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -1A
- **Power Dissipation (PD)**: 1W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 120 to 400 (at VCE = -5V, IC = -150mA)
- **Transition Frequency (fT)**: 200MHz (typical)
- **Applications**: General-purpose amplification, switching, and low-power applications.

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.