Audio Frequency Low Noise Amplifier Applications The 2SA1312-BL is a PNP silicon epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. Below are the key specifications:

- **Type**: PNP
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial Planar
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -1.5A
- **Collector Dissipation (PC)**: 1W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 120 to 560 (at VCE = -5V, IC = -150mA)
- **Transition Frequency (fT)**: 80MHz (at VCE = -5V, IC = -10mA, f = 100MHz)
- **Package**: TO-92MOD

These specifications are based on Toshiba's datasheet for the 2SA1312-BL transistor.

Audio Frequency Low Noise Amplifier Applications The 2SA1312-BL is a PNP transistor manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V
- **Collector Current (IC):** -1.5A
- **Collector Dissipation (PC):** 1W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to 150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 120 to 400 (at VCE = -5V, IC = -150mA)
- **Transition Frequency (fT):** 80MHz (at VCE = -5V, IC = -10mA, f = 100MHz)
- **Package:** TO-92MOD

These specifications are based on the datasheet provided by Toshiba for the 2SA1312-BL transistor.