FOR LOW FREQUENCY POWER AMPLIFY APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE The part 2SA1284 is a PNP transistor manufactured by SANYO. Here are the key specifications:

- **Type**: PNP
- **Material**: Silicon
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -1.5A
- **Collector Dissipation (PC)**: 1W
- **DC Current Gain (hFE)**: 60-320
- **Transition Frequency (fT)**: 80MHz
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Package**: TO-92

These specifications are typical for the 2SA1284 transistor as provided by SANYO.

FOR LOW FREQUENCY POWER AMPLIFY APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE The part number 2SA1284 is a PNP silicon transistor manufactured by Mitsubishi. Here are the key specifications:

- **Type**: PNP Silicon Transistor
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -1.5A
- **Collector Dissipation (PC)**: 1W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at VCE = -5V, IC = -0.5A)
- **Transition Frequency (fT)**: 120MHz (at VCE = -5V, IC = -0.5A, f = 100MHz)
- **Package**: TO-126

These specifications are typical for the 2SA1284 transistor and are based on the manufacturer's datasheet.

FOR LOW FREQUENCY POWER AMPLIFY APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE The part 2SA1284 is a PNP silicon transistor manufactured by MIT Electronics. According to the specifications provided in Ic-phoenix technical data files, the key details are:

- Collector-Emitter Voltage (VCEO): -50V
- Collector-Base Voltage (VCBO): -50V
- Emitter-Base Voltage (VEBO): -5V
- Collector Current (IC): -1.5A
- Power Dissipation (PC): 1W
- Transition Frequency (fT): 120MHz
- DC Current Gain (hFE): 60-320
- Package: TO-92

This transistor is designed for general purpose amplification and switching applications. The maximum ratings and electrical characteristics are provided in the datasheet from MIT Electronics.