Ge PNP Drift The 2SA104 is a PNP silicon transistor manufactured by MATSUSHITA (now known as Panasonic). Below are the key specifications:

- **Type**: PNP Silicon Transistor
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -0.1A
- **Power Dissipation (Pc)**: 0.3W
- **Junction Temperature (Tj)**: 125°C
- **Transition Frequency (fT)**: 80MHz
- **Gain Bandwidth Product (hFE)**: 60-320 (depending on operating conditions)
- **Package**: TO-92

These specifications are typical for general-purpose amplification and switching applications.

Ge PNP Drift The 2SA104 is a PNP silicon transistor manufactured by ON Semiconductor (ON/ST). It is designed for general-purpose amplification and switching applications. Key specifications include:

- **Type**: PNP
- **Material**: Silicon
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: -50V
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: -60V
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: -5V
- **Collector Current (I_C)**: -500mA
- **Power Dissipation (P_D)**: 500mW
- **DC Current Gain (h_FE)**: 60 to 320
- **Transition Frequency (f_T)**: 150MHz
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C

The transistor is available in a TO-92 package.