Small Signal Transistors The 2N914 is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Fairchild Semiconductor. Below are the key specifications for the 2N914 transistor:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 25V
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 30V
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 5V
- **Maximum Collector Current (I_C)**: 200mA
- **Maximum Power Dissipation (P_D)**: 300mW
- **DC Current Gain (h_FE)**: 100 - 300 (typical)
- **Transition Frequency (f_T)**: 250MHz (typical)
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +200°C
- **Package**: TO-18 metal can

These specifications are based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the 2N914 transistor.

Small Signal Transistors The 2N914 is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT). Here are the key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 25V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo)**: 30V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo)**: 5V
- **Collector Current (Ic)**: 200mA
- **Power Dissipation (Pd)**: 300mW
- **DC Current Gain (hFE)**: 100 to 300 (typically)
- **Transition Frequency (ft)**: 100MHz
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +200°C

These specifications are typical for the 2N914 transistor and may vary slightly depending on the manufacturer.