Triacs Silicon Bidirectional Thyristors The 2N6344G is a silicon NPN Darlington transistor manufactured by ON Semiconductor. Key specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 100V
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 100V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 8A
- **DC Current Gain (hFE):** 1000 (min) at IC = 4A, VCE = 4V
- **Power Dissipation (PD):** 80W
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -65°C to +150°C
- **Package:** TO-220

This transistor is designed for general-purpose amplifier and switching applications.