OMNIFET :FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET The **VND7N04TR-E** is a power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are the factual details about this component:

### **Manufacturer:**  
- **STMicroelectronics (ST)**

### **Specifications:**  
- **Type:** Dual N-channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 7A per channel  
- **R_DS(on) (Max):** 0.1Ω (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W per channel  
- **Package:** **PowerSO-10** (Exposed Pad)  

### **Descriptions:**  
- The **VND7N04TR-E** is a **dual N-channel enhancement-mode power MOSFET** in a **PowerSO-10 package**.  
- It is designed for **high-efficiency switching applications** in automotive and industrial systems.  
- Features **low on-resistance** and **high current capability** for power management.  

### **Features:**  
- **Dual N-channel MOSFET** in a single package  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses  
- **AEC-Q101 qualified** (suitable for automotive applications)  
- **ESD protection** for robustness  
- **Exposed thermal pad** for improved heat dissipation  
- **Logic-level compatible** gate drive  

This information is based on STMicroelectronics' official datasheet for the **VND7N04TR-E**.

OMNIFET :FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET