Zener Diode SILICON DIFFUSED TYPE CONSTANT VOLTAGE REGULATION TRANSIENT SUPPRESSORS The part **U1ZB10** is manufactured by **TOSHIBA**. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** TOSHIBA  
- **Part Number:** U1ZB10  
- **Type:** Power MOSFET  
- **Technology:** N-Channel  
- **Voltage Rating (VDS):** 100V  
- **Current Rating (ID):** 30A (continuous)  
- **Power Dissipation (PD):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.035Ω (typical)  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**
- The **U1ZB10** is a high-performance **N-Channel MOSFET** designed for power switching applications.  
- It is optimized for **low on-resistance** and **high-speed switching** performance.  
- Suitable for **DC-DC converters, motor control, and power management** applications.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance (RDS(on)):** Ensures efficient power handling with minimal losses.  
- **High-Speed Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances reliability in rugged conditions.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses and improves efficiency.  
- **TO-220AB Package:** Provides good thermal performance for heat dissipation.  

This information is based on TOSHIBA's official documentation for the **U1ZB10** MOSFET.