Power transistor for high-speed switching applications The TTC5200 is a PNP silicon epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Type:** PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -60V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -2A (DC)  
- **Collector Dissipation (PC):** 25W (at Ta = 25°C)  
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C  
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C  

### **Electrical Characteristics (Ta = 25°C):**
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at VCE = -5V, IC = -500mA)  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)):** -0.5V (max) (at IC = -1A, IB = -100mA)  
- **Transition Frequency (fT):** 20MHz (min) (at VCE = -5V, IC = -500mA, f = 100MHz)  

### **Descriptions and Features:**
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- High current capability with low saturation voltage.  
- Suitable for power amplification in audio and other low-frequency circuits.  
- Epitaxial planar construction ensures reliability and performance.  
- Available in a TO-220 package for efficient heat dissipation.  

This information is based on Toshiba's official datasheet for the TTC5200 transistor.