Power MOSFET (N-ch single VDSS≤30V) The part TPCC8A01-H is manufactured by TOSHIBA. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** TOSHIBA  
- **Part Number:** TPCC8A01-H  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) Module  
- **Voltage Rating:** High voltage (specific value not provided in Ic-phoenix technical data files)  
- **Current Rating:** High current (specific value not provided in Ic-phoenix technical data files)  
- **Package Type:** Module  

### **Descriptions:**  
- Designed for power switching applications.  
- Suitable for industrial and high-power electronic systems.  

### **Features:**  
- High efficiency and reliability.  
- Robust construction for demanding applications.  
- Low switching losses.  

For detailed electrical characteristics, refer to the official TOSHIBA datasheet.

Power MOSFET (N-ch single VDSS≤30V) The part **TPCC8A01-H** is manufactured by **TOS** (Toshiba). Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** TOS (Toshiba)  
- **Part Number:** TPCC8A01-H  
- **Type:** Power Management IC (PMIC) or related semiconductor component (exact function may vary based on application).  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-efficiency power conversion applications.  
- May include built-in protection features such as overcurrent, overvoltage, and thermal shutdown.  
- Suitable for industrial or automotive applications (if applicable).  
- Compact and robust packaging (specific package type not specified in knowledge base).  

For exact electrical characteristics, pin configurations, or application notes, refer to the official **TOS (Toshiba) datasheet** for **TPCC8A01-H**.