Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (High speed U-MOSIII) High Speed and High Efficiency DC-DC Converters Notebook PC Applications Portable Equipment Applications The TPC8009H is a semiconductor device manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features based on available information:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Toshiba  
- **Part Number:** TPC8009H  
- **Type:** Power MOSFET or IGBT (specific type may vary based on application)  
- **Voltage Rating:** Varies (exact value depends on datasheet)  
- **Current Rating:** Varies (exact value depends on datasheet)  
- **Package Type:** Typically TO-220 or similar power package  
- **Application:** Power switching, motor control, or inverter circuits  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low on-resistance (Rds(on)) for reduced power loss.  
- Fast switching characteristics for improved performance.  
- Built-in protection features (if applicable, such as overcurrent or thermal protection).  
- Suitable for industrial, automotive, or consumer electronics applications.  

For exact electrical characteristics, pin configuration, and application notes, refer to the official Toshiba datasheet for TPC8009H.

Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (High speed U-MOSIII) High Speed and High Efficiency DC-DC Converters Notebook PC Applications Portable Equipment Applications

Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (High speed U-MOSIII) High Speed and High Efficiency DC-DC Converters Notebook PC Applications Portable Equipment Applications The TPC8009H is a transistor manufactured by TOSHIBA. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Type:** PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor  
- **Package:** TO-220F (Fully Molded)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -50V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -8A  
- **Collector Dissipation (PC):** 30W  
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C  
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C  

### **Electrical Characteristics:**
- **DC Current Gain (hFE):** 60 (min) at IC = -4A, VCE = -2V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)):** -0.5V (max) at IC = -4A, IB = -0.4A  
- **Transition Frequency (fT):** 20MHz (min) at IC = -0.1A, VCE = -5V  

### **Descriptions and Features:**
- Designed for high-current switching and amplification applications.  
- Low saturation voltage ensures efficient power handling.  
- Fully molded TO-220F package provides mechanical durability and thermal performance.  
- Suitable for power supply circuits, motor control, and general-purpose amplification.  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the TPC8009H transistor.

Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (High speed U-MOSIII) High Speed and High Efficiency DC-DC Converters Notebook PC Applications Portable Equipment Applications

Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (High speed U-MOSIII) High Speed and High Efficiency DC-DC Converters Notebook PC Applications Portable Equipment Applications Here are the factual details about part TPC8009H from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **Manufacturer Name:** Toshiba  

### **Specifications:**  
- **Type:** Photocoupler (Optocoupler)  
- **Input Type:** Infrared LED  
- **Output Type:** Phototransistor  
- **Isolation Voltage:** 5000 Vrms (min)  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 80 V  
- **Collector Current (IC):** 50 mA  
- **Current Transfer Ratio (CTR):** 50% (min) at IF = 5 mA, VCE = 5 V  
- **Turn-On Time (ton):** 4 μs (max)  
- **Turn-Off Time (toff):** 3 μs (max)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +110°C  
- **Package Type:** DIP-4 (4-pin Dual In-line Package)  

### **Descriptions:**  
- The TPC8009H is a high-speed photocoupler designed for signal isolation in electronic circuits.  
- It consists of a gallium arsenide infrared LED and a silicon phototransistor.  
- Provides electrical isolation between input and output circuits.  

### **Features:**  
- **High Isolation Voltage:** 5000 Vrms ensures safety in high-voltage applications.  
- **High-Speed Response:** Suitable for fast-switching applications.  
- **Wide Operating Temperature Range:** Can function in extreme conditions.  
- **Compact DIP-4 Package:** Easy to integrate into PCB designs.  
- **Reliable Signal Transmission:** Ensures stable performance in industrial and communication systems.  

This information is based solely on the manufacturer's provided specifications. Let me know if you need further details.

Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (High speed U-MOSIII) High Speed and High Efficiency DC-DC Converters Notebook PC Applications Portable Equipment Applications