Power MOSFET (P-ch single) The TPC6110 is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Toshiba  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 100W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Drain-Source On-Resistance (R_DS(on)):** 30mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The TPC6110 is a high-performance N-channel power MOSFET designed for switching applications. It offers low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power management in various electronic circuits.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High current handling capability  
- Robust and reliable construction  
- Suitable for power supply, motor control, and DC-DC converter applications  

For detailed datasheet information, refer to Toshiba's official documentation.