Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) The TK8A60DA is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 8A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 32A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):** 0.6Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 800pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Operating Temperature Range (T_j):** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The TK8A60DA is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for high-efficiency power supplies, inverters, and motor control circuits.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **High Voltage Rating:** Supports up to 600V for robust performance.  
- **Low Gate Charge:** Reduces driving losses.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures reliability in rugged conditions.  
- **TO-220F Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This information is based solely on Toshiba's datasheet for the TK8A60DA.