Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) The TK7A60W is a semiconductor device manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Drain Current (I_D):** 7A  
- **Power Dissipation (P_D):** 30W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.06Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Package:** TO-220SIS  

### **Descriptions:**  
- Designed for power switching applications.  
- Low on-resistance for improved efficiency.  
- Suitable for DC-DC converters, motor drivers, and power management circuits.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Enhances power efficiency.  
- **Fast switching speed:** Improves performance in high-frequency applications.  
- **Avalanche energy specified:** Ensures robustness in inductive load conditions.  
- **Lead-free and RoHS compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based solely on Toshiba's provided data for the TK7A60W.