Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) The TK4A60D is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 16A  
- **Power Dissipation (P_D):** 30W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 2.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 150pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 30pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The TK4A60D is a high-voltage MOSFET designed for switching applications.  
- It is suitable for power supply circuits, inverters, and motor control applications.  
- The device is housed in a TO-220SIS package for efficient heat dissipation.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** Supports up to 600V drain-source voltage.  
- **Low On-Resistance:** Ensures reduced power loss during conduction.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances reliability in rugged conditions.  
- **Low Gate Charge:** Improves switching efficiency.  

This information is based solely on Toshiba's datasheet for the TK4A60D.