Power MOSFET (N-ch single 60V<VDSS≤150V) The TK40S10K3Z is a semiconductor device manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Part Number:** TK40S10K3Z  
- **Manufacturer:** Toshiba  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) Module  
- **Voltage Rating:** 1000V  
- **Current Rating:** 40A  
- **Configuration:** Single IGBT with anti-parallel diode  
- **Package Type:** Module  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-power switching applications.  
- Suitable for inverters, motor drives, and industrial power supplies.  
- Includes a built-in freewheeling diode for improved efficiency.  

### **Features:**  
- Low saturation voltage (VCE(sat)).  
- High-speed switching capability.  
- Robust and reliable construction for industrial use.  
- Isolated base plate for easy heat dissipation.  

For exact electrical characteristics, thermal data, and application notes, refer to Toshiba’s official datasheet.