Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) The TK12E60U is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 48A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):** 0.6Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 600pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 50pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 15pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-speed switching applications.  
- Low on-resistance for improved efficiency.  
- Fast switching performance for power conversion applications.  
- Suitable for use in inverters, power supplies, and motor control circuits.  
- TO-220AB package for easy mounting and heat dissipation.  

This information is based solely on Toshiba's datasheet for the TK12E60U.