Power MOSFET (P-ch single) The part **TJ9A10M3** is manufactured by **Toshiba**. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Toshiba  
- **Part Number:** TJ9A10M3  
- **Type:** Power MOSFET  
- **Technology:** Silicon N-Channel  
- **Voltage Rating:** 100V  
- **Current Rating:** 9A  
- **Power Dissipation:** 30W  
- **Package:** TO-220AB (Through-Hole)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.3Ω (max)  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for **switching applications** in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  
- **Low on-resistance (RDS(on))** for improved efficiency.  
- **Fast switching speed** for high-frequency applications.  
- **Avalanche energy specified** for ruggedness in inductive load conditions.  
- **Low gate charge** for reduced drive requirements.  
- **Lead-free and RoHS compliant.**  

For exact performance characteristics, refer to Toshiba's official datasheet for **TJ9A10M3**.

Power MOSFET (P-ch single)