HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR The THD218DHI is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 75A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 300A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 120nC (typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4000pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 800pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The THD218DHI is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance, high current capability, and fast switching speeds, making it suitable for motor control, power supplies, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Fast switching performance  
- Enhanced thermal characteristics  
- Robust and reliable construction  
- Suitable for high-efficiency power applications  

For detailed technical information, refer to the official STMicroelectronics datasheet.