8 MBIT (1M X 8 BITS / 512K X 16 BITS) CMOS FLASH MEMORY The **TC58FVT800FT-10** is a NAND Flash Memory product manufactured by **Toshiba**. Below are its specifications, descriptions, and features based on available data:

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** NAND Flash  
- **Density:** 8Gb (1GB)  
- **Interface:** Asynchronous  
- **Organization:**  
  - Page Size: 2,112 bytes (2,048 + 64 bytes spare)  
  - Block Size: 128KB (64 pages per block)  
- **Supply Voltage:** 2.7V - 3.6V  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Speed:**  
  - Page Read Time: 25µs (max)  
  - Page Program Time: 300µs (typical)  
  - Block Erase Time: 2ms (typical)  
- **Package:** TSOP48 (48-pin Thin Small Outline Package)  

### **Descriptions:**  
- The **TC58FVT800FT-10** is a **Single-Level Cell (SLC)** NAND Flash memory, offering high reliability and endurance.  
- It is designed for applications requiring **high-speed data storage**, such as embedded systems, industrial devices, and consumer electronics.  
- Supports **ECC (Error Correction Code)** for improved data integrity.  

### **Features:**  
- **High Performance:** Fast read, program, and erase operations.  
- **Low Power Consumption:** Optimized for battery-powered applications.  
- **Reliable Data Retention:** Suitable for industrial and automotive applications.  
- **Hardware Data Protection:** Includes **Write Protect** functionality.  
- **Compatibility:** Asynchronous interface for easy integration with microcontrollers.  

For detailed technical documentation, refer to Toshiba's official datasheet.